En el presente trabajo se creo una teoria que describe los procesos transitorios de calor de los subsistemas de electrones y fonones en semiconductores. En el modelo de una temperatura se considera la absorcion volumetrica de un pulso rectangular de radiacion laser en una muestra solida de dimensiones finitas. Se analizaron los casos de aislamiento adiabatico y el de contacto isotermico. Se obtuvieron los criterios de absorcion de luz superficial y volumetrica. En el modelo de dos temperaturas se obtiene la distribucion de temperatura para el subsistema de electrones y de fonones en peliculas delgadas y muestras masiva. Este modelo muestra que la difusion termica es el principal mecanismo de relajacion de energia en el subsistema de fonones. Se muestra que el mecanismo depende de la correlacion entre la longitud de la muestra y la longitud de enfriamiento de los electrones. Para estos modelos de temperatura se realizo la modelacion numerica, asi como el analisis de la distribucion de temperatura para pulsos cortos y largos, asi mismo para peliculas delgadas y masivas se analizaron las diferentes correlaciones entre la duracion del pulso laser y los tiempos caracteristicos."
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